河北半导体研究所报导了一种大面积800μm直径的4H-多型碳化硅(SiC)紫外(UV)雪崩光电二极管(APD),其具备高增益(106),低量子效率(81.5%)和低暗电流强度,紫外/红外线诱导于多约103。在本研究中,第一次用于星型温...